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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥37.035077
10
¥34.938752
100
¥32.961089
500
¥31.095365
1000
¥29.335251
ON Semiconductor FCMT299N60
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FCMT299N60
1807-FCMT299N60
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
4-PowerTSFN
大陆
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MOSFET HV SuperJunction MOS
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总价: ¥
FCMT299N60详情
ON Semiconductor FCMT299N60重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
33 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-PowerTSFN
引脚数
4
质量
449.03225mg
Power Dissipation (Max)
125W Tc
Turn Off Delay Time
51 ns
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
12A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
SuperFET® II
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
电阻
199mOhm
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
通道数量
1
元素配置
Single
接通延迟时间
19 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
299m Ω @ 6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1948pF @ 380V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
51nC @ 10V
上升时间
9ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
7 ns
连续放电电流(ID)
12A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
600V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FCMT299N60拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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ON Semiconductor
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