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FCMT299N60备选型号: STB18N60M2
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- 基本部件号
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- 功率耗散
- 箱体转运
- 晶体管应用
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- 长度
- 宽度
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MOSFET HV SuperJunction MOSACTIVE (Last Updated: 1 day ago)33 Weeks表面贴装表面贴装4-PowerTSFN4449.03225mg125W Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)SuperFET® IIyes活跃1 (Unlimited)EAR99199mOhm260not_compliant未说明1Single19 nsN-Channel299m Ω @ 6A, 10V3.5V @ 250μA1948pF @ 380V51nC @ 10V9ns±20V7 ns12A20V600VROHS3 Compliant-----------------
MOSFET N-CH 600V 0.255Ohm 13A MDmesh M2-26 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-13A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)MDmesh™ II Plus-活跃1 (Unlimited)EAR99280mOhm---1Single12 nsN-Channel280m Ω @ 6.5A, 10V4V @ 250μA791pF @ 100V21.5nC @ 10V9ns±25V10.6 ns13A25V-ROHS3 CompliantSILICON2鸥翼STB18NR-PSSO-G2增强型MOSFET110WDRAINSWITCHING600V52A600V4.6mm10.4mm9.35mm无无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPB50R250CPATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 550V 13A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
| IPB60R299CPAATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 600V 11A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-263 T/R | 对比 |
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