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首页 全部分类 FCP165N60E vs IPP60R125CPXKSA1

FCP165N60E备选型号: IPP60R125CPXKSA1

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  • 已出版
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  • 端子位置
  • 额定电流
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  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FCP165N60E
    ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP165N60E MOSFET Transistor, N Channel, 23 A, 600 V, 0.132 ohm, 10 V, 3.5 VNew
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    12 Weeks
    通孔
    TO-220
    3
    1.8g
    Tube
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    8541.29.00.95
    227W
    未说明
    未说明
    Single
    600V
    23A
    3.5V
    2.434nF
    132mOhm
    165 mΩ
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP60R125CPXKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V 25A TO-220
    -
    12 Weeks
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    Tube
    e3
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    未说明
    未说明
    -
    650V
    25A
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    通孔
    SILICON
    25A Tc
    -55°C~150°C TJ
    CoolMOS™
    2007
    3
    600V
    SINGLE
    25A
    3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    208W
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    125m Ω @ 16A, 10V
    3.5V @ 1.1mA
    无卤素
    2500pF @ 100V
    70nC @ 10V
    5ns
    ±20V
    TO-220AB
    20V
    600V
    82A
    708 mJ
    无铅
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