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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥12.755873
10
¥12.033843
100
¥11.352681
500
¥10.710077
1000
¥10.103846
Infineon Technologies IPP60R160P6XKSA1
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- 对比
IPP60R160P6XKSA1
1211-IPP60R160P6XKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
大陆
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MOSFET N-CH 600V TO220-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IPP60R160P6XKSA1详情
Infineon Technologies IPP60R160P6XKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
供应商器件包装
PG-TO220-3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
23.8A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
176W Tc
Turn Off Delay Time
40 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4.5V @ 750μA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
CoolMOS™ P6
已出版
2013
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
接通延迟时间
12.5 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
160mOhm @ 9A, 10V
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2080pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
44nC @ 10V
上升时间
7.6ns
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
5.8 ns
连续放电电流(ID)
23.8A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
600V
输入电容
2.08nF
漏源电阻
144mOhm
最大rds
160 mΩ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IPP60R160P6XKSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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