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首页 全部分类 FCP165N60E vs IPP60R160P6XKSA1

FCP165N60E备选型号: IPP60R160P6XKSA1

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  • 场效应管类型
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FCP165N60E
    ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP165N60E MOSFET Transistor, N Channel, 23 A, 600 V, 0.132 ohm, 10 V, 3.5 VNew
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    12 Weeks
    通孔
    TO-220
    3
    1.8g
    Tube
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    8541.29.00.95
    227W
    未说明
    未说明
    Single
    600V
    23A
    3.5V
    2.434nF
    132mOhm
    165 mΩ
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP60R160P6XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V TO220-3
    -
    18 Weeks
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    Tube
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    150°C
    -55°C
    -
    -
    -
    -
    -
    600V
    23.8A
    -
    2.08nF
    144mOhm
    160 mΩ
    -
    ROHS3 Compliant
    通孔
    PG-TO220-3
    23.8A Tc
    -55°C~150°C TJ
    CoolMOS™ P6
    2013
    12.5 ns
    N-Channel
    160mOhm @ 9A, 10V
    4.5V @ 750μA
    无卤素
    2080pF @ 100V
    44nC @ 10V
    7.6ns
    ±20V
    5.8 ns
    20V
    600V
    无铅
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