FCP190N60E备选型号: FCP260N60E
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 漏源击穿电压
- ON SEMICONDUCTOR - FCP190N60E - MOSFET, N-CH, 600V, 20.6A, TO-220ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)14 Weeks通孔通孔TO-220-331.8g20.6A Tc-55°C~150°C TJTubeSuperFET® II2017e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)未说明未说明Single208W23 nsN-Channel190m Ω @ 10A, 10V3.5V @ 250μA3175pF @ 25V82nC @ 10V14ns600V±20V15 ns20.6A2.5V20V16.51mm10.67mm4.83mm无SVHCROHS3 Compliant无铅-
- FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP260N60E Power MOSFET, N Channel, 15 A, 600 V, 0.22 ohm, 10 V, 2.5 VACTIVE (Last Updated: 2 days ago)12 Weeks通孔通孔TO-220-331.8g15A Tc-55°C~150°C TJTubeSuperFET® II2012e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)未说明未说明Single156W20 nsN-Channel260m Ω @ 7.5A, 10V3.5V @ 250μA2500pF @ 25V62nC @ 10V11ns600V±20V13 ns15A2.5V20V16.51mm10.67mm4.83mm无SVHCROHS3 Compliant无铅650V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SPP20N65C3XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220-3 | 对比 |
![]() | SPP21N50C3XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 560V 21A TO-220AB | 对比 |
![]() | IPP60R165CPXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 600V 21A TO-220 | 对比 |



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