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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥23.327716
10
¥22.007279
100
¥20.761584
500
¥19.5864
1000
¥18.477736
Infineon Technologies SPP21N50C3XKSA1
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- 对比
SPP21N50C3XKSA1
1211-SPP21N50C3XKSA1
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
大陆
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MOSFET N-CH 560V 21A TO-220AB
--最小包装量--
¥
总价: ¥
SPP21N50C3XKSA1详情
Infineon Technologies SPP21N50C3XKSA1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
供应商器件包装
PG-TO220-3-1
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
21A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
208W Tc
Turn Off Delay Time
67 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
CoolMOS™
已出版
2005
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
560V
额定电流
21A
元素配置
Single
功率耗散
208W
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
190mOhm @ 13.1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.9V @ 1mA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2400pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
95nC @ 10V
上升时间
5ns
漏源电压 (Vdss)
500V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
4.5 ns
连续放电电流(ID)
21A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
500V
漏源击穿电压
560V
输入电容
2.4nF
漏源电阻
190mOhm
最大rds
190 mΩ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
SPP21N50C3XKSA1拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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