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首页 全部分类 FCP850N80Z vs STP10N62K3

FCP850N80Z备选型号: STP10N62K3

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  • 场效应管类型
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  • 阈值电压
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  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 电阻
  • 端子位置
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FCP850N80Z
    ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP850N80Z Power MOSFET, N Channel, 8 A, 800 V, 0.71 ohm, 10 V, 4.5 VNew
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    1.8g
    8A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperFET® II
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    未说明
    未说明
    Single
    N-Channel
    850m Ω @ 3A, 10V
    4.5V @ 600μA
    1315pF @ 100V
    29nC @ 10V
    800V
    ±20V
    8A
    4.5V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP10N62K3
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 620V 8.4A TO220
    -
    -
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    8.4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperMESH3™
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    750m Ω @ 4A, 10V
    4.5V @ 100μA
    1250pF @ 50V
    42nC @ 10V
    620V
    ±30V
    8.4A
    3.75V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    3
    680mOhm
    SINGLE
    STP10
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    125W
    14.5 ns
    SWITCHING
    15ns
    31 ns
    TO-220AB
    30V
    650V
    220 mJ
    3.75 V
    15.75mm
    10.4mm
    4.6mm
    无
    无铅
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