FCPF190N60E备选型号: FCPF260N60E
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- JESD-609代码
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 极性/通道类型
- 输入电容
- 场效应管技术
- 漏源电阻
- 最大rds
- FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCPF190N60E Power MOSFET, N Channel, 20.6 A, 600 V, 0.16 ohm, 10 V, 2.5 VACTIVE (Last Updated: 3 days ago)15 Weeks通孔通孔TO-220-3 Full Pack32.27g20.6A Tc-55°C~150°C TJTubeSuperFET® II2013e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)未说明not_compliant未说明Single39W23 nsN-Channel190m Ω @ 10A, 10V3.5V @ 250μA3175pF @ 25V82nC @ 10V38ns600V±20V40 ns20.6A2.5V20V650V9.19mm10.36mm4.9mm无SVHCROHS3 Compliant无铅--------
- FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCPF260N60E Power MOSFET, N Channel, 15 A, 600 V, 0.22 ohm, 10 V, 2.5 VACTIVE (Last Updated: 3 days ago)16 Weeks通孔-TO-220-332.27g1-Tube--e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)未说明not_compliant未说明Single36W20 ns-----11ns600V-13 ns15A2.5V20V650V4.9mm10.36mm16.07mm无SVHCROHS3 Compliant无铅150°C-55°C36WN-CHANNEL2.5nFMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR260mOhm260 mΩ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPAW60R190CEXKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 Full Pack | In a Tube of 450, N-Channel MOSFET, 26.7 A, 600 V, 3 Tab-Pin TO-220FP Infineon IPAW60R190CEXKSA1 | 对比 |



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