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FCPF650N80Z备选型号: FCPF850N80Z

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  • 上升时间
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  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 漏源击穿电压
  • ON Semiconductor
    FCPF650N80Z
    ON Semiconductor
    MOSFET HV SuperJunction MOS
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    13 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    2.27g
    8A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperFET® II
    2017
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    未说明
    not_compliant
    未说明
    1
    Single
    17 ns
    N-Channel
    650m Ω @ 4A, 10V
    4.5V @ 800μA
    1565pF @ 100V
    35nC @ 10V
    11ns
    800V
    ±20V
    3.4 ns
    8A
    20V
    8A
    16.07mm
    10.36mm
    4.9mm
    ROHS3 Compliant
    -
  • ON Semiconductor
    FCPF850N80Z
    ON Semiconductor
    MOSFET HV SuperJunction MOS
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    13 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    2.27g
    6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperFET® II
    2017
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    未说明
    not_compliant
    未说明
    1
    Single
    16 ns
    N-Channel
    850m Ω @ 3A, 10V
    4.5V @ 600μA
    1315pF @ 100V
    29nC @ 10V
    10ns
    -
    ±20V
    4.5 ns
    6A
    20V
    6A
    16.07mm
    10.36mm
    4.9mm
    ROHS3 Compliant
    800V
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