ON Semiconductor FCPF650N80Z
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FCPF650N80Z
1807-FCPF650N80Z
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3 Full Pack
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MOSFET HV SuperJunction MOS
--最小包装量--
FCPF650N80Z详情
ON Semiconductor FCPF650N80Z重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
13 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
引脚数
3
质量
2.27g
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
8A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
30.5W Tc
Turn Off Delay Time
40 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
SuperFET® II
已出版
2017
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
通道数量
1
元素配置
Single
接通延迟时间
17 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
650m Ω @ 4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 800μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1565pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
35nC @ 10V
上升时间
11ns
漏源电压 (Vdss)
800V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
3.4 ns
连续放电电流(ID)
8A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
8A
高度
16.07mm
长度
10.36mm
宽度
4.9mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FCPF650N80Z拓展信息
ON Semiconductor
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