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首页 全部分类 FD800R17KE3B2NOSA1 vs FF800R12KE3NOSA1

FD800R17KE3B2NOSA1备选型号: FF800R12KE3NOSA1

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  • 终止次数
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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
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  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
  • 极性/通道类型
  • 输入
  • 最大集极截止电流
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 接通时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • 关断时间-标准值（toff)
  • NTC热敏电阻
  • 输入电容(Cies)@Vce
  • Infineon Technologies
    FD800R17KE3B2NOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT MODULE 1700V 800A
    36 Weeks
    Screw
    Module
    130
    2002
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    125°C
    -40°C
    不含卤素
    1.7kV
    1.2kA
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    FF800R12KE3NOSA1
    Infineon Technologies
    IGBT MODULE VCES 1200V 800A
    36 Weeks
    Screw
    Module
    130
    2002
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    -
    不含卤素
    1.2kV
    1.2kA
    符合RoHS标准
    含铅
    底座安装
    SILICON
    1.2kV
    1.7V
    -40°C~125°C
    no
    10
    EAR99
    UPPER
    UNSPECIFIED
    10
    R-XUFM-X10
    Single
    Dual
    3.9kW
    ISOLATED
    3900W
    N-CHANNEL
    Standard
    5mA
    1200V
    880 ns
    2.15V @ 15V, 800A
    1140 ns
    无
    57nF @ 25V
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