Infineon Technologies FF800R12KE3NOSA1

工厂交货时间

36 Weeks

底架

Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

Module

引脚数

130

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.7V

Current-Collector (Ic) (Max)

1200A

Number of Elements

2

操作温度

-40°C~125°C

已出版

2002

无铅代码

no

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

10

ECCN 代码

EAR99

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

引脚数量

10

JESD-30代码

R-XUFM-X10

配置

Single

元素配置

Dual

功率耗散

3.9kW

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

3900W

无卤素

不含卤素

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集电极电流

1.2kA

最大集极截止电流

5mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

880 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.15V @ 15V, 800A

关断时间-标准值（toff)

1140 ns

NTC热敏电阻

无

输入电容(Cies)@Vce

57nF @ 25V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

含铅