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FDA8440备选型号: FDI8441
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- 晶体管元件材料
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
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- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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- 已出版
MOSFET 40V 100A 2.1mOhm N-Chan Power TrenchACTIVE (Last Updated: 4 days ago)8 Weeks通孔通孔TO-3P-3, SC-65-336.401gSILICON30A Ta 100A Tc-55°C~175°C TJTubePowerTrench®e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)未说明未说明不合格Single增强型MOSFET306W43 nsN-ChannelSWITCHING2.1m Ω @ 80A, 10V3V @ 250μA24740pF @ 25V450nC @ 10V130ns±20V290 ns30A20V40V500AROHS3 Compliant-
MOSFET N-CH 40V 80A TO-262AB--通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA32.084g-26A Ta 80A Tc-55°C~175°C TJTubePowerTrench®-yesObsolete1 (Unlimited)------Single-300W23 nsN-Channel-2.7m Ω @ 80A, 10V4V @ 250μA15000pF @ 25V280nC @ 10V24ns±20V17.9 ns26A20V40V-符合RoHS标准2011- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | NTD4815N-1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Stub Leads, IPak | MOSFET N-CH 30V 6.9A IPAK | 对比 |
 | NTD4815NH-35G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Stub Leads, IPak | MOSFET N-CH 30V 6.9A IPAK | 对比 |
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