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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥17.32367
10
¥16.343081
100
¥15.418004
500
¥14.545287
1000
¥13.72197
ON Semiconductor FDI8441
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- 对比
FDI8441
1807-FDI8441
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
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MOSFET N-CH 40V 80A TO-262AB
--最小包装量--
¥
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FDI8441详情
ON Semiconductor FDI8441重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
引脚数
3
质量
2.084g
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
26A Ta 80A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
300W Tc
Turn Off Delay Time
75 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
PowerTrench®
已出版
2011
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
元素配置
Single
功率耗散
300W
接通延迟时间
23 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.7m Ω @ 80A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
15000pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
280nC @ 10V
上升时间
24ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
17.9 ns
连续放电电流(ID)
26A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
40V
RoHS状态
符合RoHS标准
FDI8441拓展信息
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