ON Semiconductor FDA8440
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FDA8440
1807-FDA8440
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-3P-3, SC-65-3
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MOSFET 40V 100A 2.1mOhm N-Chan Power Trench
--最小包装量--
FDA8440详情
ON Semiconductor FDA8440重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
8 Weeks
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-3P-3, SC-65-3
引脚数
3
质量
6.401g
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
30A Ta 100A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
306W Tc
Turn Off Delay Time
435 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
PowerTrench®
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
资历状况
不合格
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
306W
接通延迟时间
43 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.1m Ω @ 80A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
24740pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
450nC @ 10V
上升时间
130ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
290 ns
连续放电电流(ID)
30A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
40V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
500A
RoHS状态
ROHS3 Compliant
FDA8440拓展信息
ON Semiconductor
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