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首页 全部分类 FDAF69N25 vs FDAF62N28

FDAF69N25备选型号: FDAF62N28

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  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 供应商器件包装
  • 终端
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 双电源电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • 栅源电压
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    FDAF69N25
    ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDAF69N25MOSFET Transistor, N Channel, 34 A, 250 V, 41 mohm, 10 V, 5 V
    通孔
    通孔
    TO-3P-3 Full Pack
    3
    34A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    UniFET™
    2005
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    Single
    115W
    N-Channel
    41m Ω @ 17A, 10V
    5V @ 250μA
    4640pF @ 25V
    100nC @ 10V
    855ns
    ±30V
    220 ns
    34A
    5V
    30V
    250V
    无SVHC
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDAF62N28
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 280V 36A TO-3PF
    通孔
    通孔
    TO-3P-3 Full Pack
    3
    36A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    UniFET™
    2006
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    Single
    165W
    N-Channel
    51mOhm @ 18A, 10V
    5V @ 250μA
    4630pF @ 25V
    100nC @ 10V
    560ns
    ±30V
    220 ns
    36A
    -
    30V
    280V
    无SVHC
    符合RoHS标准
    TO-3PF
    通孔
    150°C
    -55°C
    280V
    36A
    280V
    280V
    4.63nF
    51mOhm
    51 mΩ
    5 V
    无铅
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FDAF62N28 FDAF62N28 ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-3P-3 Full Pack MOSFET N-CH 280V 36A TO-3PF 对比