FDB045AN08A0-F085备选型号: STH140N8F7-2

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • ECCN 代码
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    2 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    1.31247g
    SILICON
    19A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Cut Tape (CT)
    Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
    2013
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    Tin (Sn)
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    310W
    DRAIN
    18 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.5m Ω @ 80A, 10V
    4V @ 250μA
    6600pF @ 25V
    138nC @ 10V
    88ns
    ±20V
    45 ns
    80A
    20V
    0.0045Ohm
    75V
    600 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2
    -
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    3.949996g
    -
    90A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    DeepGATE™, STripFET™ VII
    -
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    -
    -
    26 ns
    N-Channel
    -
    4m Ω @ 45A, 10V
    4.5V @ 250μA
    6340pF @ 40V
    96nC @ 10V
    51ns
    ±20V
    44 ns
    90A
    20V
    -
    80V
    -
    ROHS3 Compliant
    EAR99
    STH140
    1
    4.8mm
    10.4mm
    15.8mm
    无铅
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