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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥13.013083
10
¥12.276493
100
¥11.581597
500
¥10.926035
1000
¥10.30758
Infineon Technologies IPB90N06S404ATMA2
- 收藏
- 对比
IPB90N06S404ATMA2
1211-IPB90N06S404ATMA2
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
大陆
立即发货

Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-263 T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IPB90N06S404ATMA2详情
Infineon Technologies IPB90N06S404ATMA2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
质量
1.946308g
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
90A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
150W Tc
Turn Off Delay Time
40 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
已出版
2009
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PSSO-G2
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
150W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
30 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
4m Ω @ 90A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 90μA
无卤素
无卤素
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
10400pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
128nC @ 10V
上升时间
70ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
5 ns
连续放电电流(ID)
90A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
60V
漏源击穿电压
60V
高度
4.4mm
长度
10mm
宽度
9.25mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
IPB90N06S404ATMA2拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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