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FDB150N10备选型号: IRF3007SPBF
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- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 终端形式
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 高度
- 长度
- 宽度
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench8 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB31.31247gSILICON57A Tc4.5V @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®e3yesACTIVE (Last Updated: 4 days ago)1 (Unlimited)2EAR9915MOhmTin (Sn)鸥翼R-PSSO-G2Single增强型MOSFET110WDRAIN47 nsN-ChannelSWITCHING15m Ω @ 49A, 10V4760pF @ 25V69nC @ 10V164ns±20V83 ns57A20V100V228A无ROHS3 Compliant无铅------
MOSFET N-CH 75V 62A D2PAK14 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3--62A Tc4V @ 250μA-55°C~175°C TJTubeHEXFET®--Discontinued1 (Unlimited)-EAR99----Single-120W-12 nsN-Channel-12.6m Ω @ 48A, 10V3270pF @ 25V130nC @ 10V80ns±20V49 ns62A20V75V-无ROHS3 Compliant无铅201075V62A4.572mm10.668mm9.65mm- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFS4610TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 73A D2PAK | 对比 |
| FDB120N10 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 100V 74A 3-Pin(2 Tab) TO-263 T/R | 对比 |
| IRF3007SPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 62A D2PAK | 对比 |
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