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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥24.485352
10
¥23.099389
100
¥21.791877
500
¥20.558373
1000
¥19.394692
Infineon Technologies IRF3007SPBF
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- 对比
IRF3007SPBF
1211-IRF3007SPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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MOSFET N-CH 75V 62A D2PAK
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IRF3007SPBF详情
Infineon Technologies IRF3007SPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
14 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
62A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
120W Tc
Turn Off Delay Time
55 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2010
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
75V
额定电流
62A
元素配置
Single
功率耗散
120W
接通延迟时间
12 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
12.6m Ω @ 48A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3270pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
130nC @ 10V
上升时间
80ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
49 ns
连续放电电流(ID)
62A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
75V
高度
4.572mm
长度
10.668mm
宽度
9.65mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IRF3007SPBF拓展信息
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Infineon Technologies
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