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FDB16AN08A0备选型号: FDB14AN06LA0-F085
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 额定电流
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 雪崩能量等级（Eas）
Trans MOSFET N-CH 75V 9A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/RACTIVE (Last Updated: 6 days ago)8 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB1.31247gSILICON9A Ta 58A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2013e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)75V鸥翼58AR-PSSO-G2Single增强型MOSFET135WDRAIN8 nsN-ChannelSWITCHING16m Ω @ 58A, 10V4V @ 250μA1857pF @ 25V42nC @ 10V82ns±20V30 ns58A20V9A75V无ROHS3 Compliant无铅--- MOSFET N-CH 60V 67A D2PAKACTIVE (Last Updated: 1 day ago)2 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB1.31247gSILICON67A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®-e3yes活跃1 (Unlimited)2-Tin (Sn)-鸥翼-R-PSSO-G2Single增强型MOSFET125WDRAIN15 nsN-ChannelSWITCHING11.6m Ω @ 67A, 10V3V @ 250μA2900pF @ 25V31nC @ 5V169ns±20V50 ns67A20V-60V无ROHS3 Compliant-346 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDB14AN06LA0-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 67A D2PAK | 对比 |
| HUF75332S3ST | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 60A D2PAK | 对比 |
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