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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥10.222345
10
¥9.643724
100
¥9.09785
500
¥8.58288
1000
¥8.097056
ON Semiconductor HUF75332S3ST
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- 对比
HUF75332S3ST
1807-HUF75332S3ST
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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MOSFET N-CH 55V 60A D2PAK
--最小包装量--
¥
总价: ¥
HUF75332S3ST详情
ON Semiconductor HUF75332S3ST重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
供应商器件包装
D2PAK (TO-263AB)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
60A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
145W Tc
Turn Off Delay Time
50 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
UltraFET™
已出版
2005
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
55V
额定电流
60A
元素配置
Single
功率耗散
145W
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
19mOhm @ 60A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1300pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
85nC @ 20V
上升时间
90ns
漏源电压 (Vdss)
55V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
45 ns
连续放电电流(ID)
60A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
55V
输入电容
1.3nF
漏源电阻
22mOhm
最大rds
19 mΩ
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
HUF75332S3ST拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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ON Semiconductor
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