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FDB2532备选型号: IRFS4321TRLPBF
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- JESD-609代码
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 额定电流
- JESD-30代码
- 电压
- 元素配置
- 电流
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 供应商器件包装
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 通道数量
- 漏源电压 (Vdss)
- 输入电容
- 最大结点温度（Tj）
- 漏源电阻
- 最大rds
MOSFET N-CH 150V 79A D2PAKACTIVE (Last Updated: 6 days ago)8 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB34.535924gSILICON8A Ta 79A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2002e3yes活跃1 (Unlimited)2SMD/SMTEAR9916MOhm150V鸥翼79AR-PSSO-G2150VSingle79A增强型MOSFET310WDRAIN16 nsN-ChannelSWITCHING16m Ω @ 33A, 10V4V @ 250μA5870pF @ 25V107nC @ 10V30ns±20V17 ns79A4V20V150V150V400 mJ4 V4.83mm10.67mm11.33mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅---------
MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK-12 Weeks-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3--85A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2010--活跃1 (Unlimited)---15MOhm-----Single--350W-18 nsN-Channel-15mOhm @ 33A, 10V5V @ 250μA4460pF @ 25V110nC @ 10V60ns±30V35 ns85A5V30V150V--5 V5.084mm10.668mm9.65mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅D2PAK175°C-55°C1150V4.46nF175°C12mOhm15 mΩ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFS4115TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 150V 195A D2PAK | 对比 |
| IRFS4115PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 150V 195A D2-PAK | 对比 |
| FDB110N15A | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | N CH MOSFET, POWERTRENCH, 150V, 92A, D2PAK - More Details | 对比 |
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