Infineon Technologies IRFS4321TRLPBF
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IRFS4321TRLPBF
1211-IRFS4321TRLPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK
--最小包装量--
IRFS4321TRLPBF详情
Infineon Technologies IRFS4321TRLPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
供应商器件包装
D2PAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
85A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
350W Tc
Turn Off Delay Time
25 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
HEXFET®
已出版
2010
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电阻
15MOhm
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
通道数量
1
元素配置
Single
功率耗散
350W
接通延迟时间
18 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
15mOhm @ 33A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4460pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
110nC @ 10V
上升时间
60ns
漏源电压 (Vdss)
150V
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
35 ns
连续放电电流(ID)
85A
阈值电压
5V
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏源击穿电压
150V
输入电容
4.46nF
最大结点温度(Tj)
175°C
漏源电阻
12mOhm
最大rds
15 mΩ
栅源电压
5 V
高度
5.084mm
长度
10.668mm
宽度
9.65mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IRFS4321TRLPBF拓展信息
Infineon Technologies
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