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FDB2572备选型号: FDB390N15A
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 额定电流
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 附加功能
MOSFET N-CH 150V 29A TO-263ABACTIVE (Last Updated: 6 days ago)8 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB1.31247gSILICON4A Ta 29A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2002e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR9954MOhmTin (Sn)150V鸥翼29AR-PSSO-G2Single增强型MOSFET135WDRAIN11 nsN-ChannelSWITCHING54m Ω @ 9A, 10V4V @ 250μA1770pF @ 25V34nC @ 10V14ns±20V14 ns29A20V4A150V36 mJ4.83mm10.67mm11.33mm无ROHS3 Compliant无铅--- MOSFET 150V NCHAN PwrTrenchACTIVE (Last Updated: 21 hours ago)8 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB1.31247gSILICON27A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2013e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99-Tin (Sn)-鸥翼-R-PSSO-G2Single增强型MOSFET75WDRAIN14 nsN-ChannelSWITCHING39m Ω @ 27A, 10V4V @ 250μA1285pF @ 75V18.6nC @ 10V10ns±20V5 ns27A20V-150V78 mJ4.83mm10.67mm9.65mm无ROHS3 Compliant无铅3ULTRA-LOW RESISTANCE
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK | 对比 |
| IRF3315STRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK | 对比 |
| FDB390N15A | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET 150V NCHAN PwrTrench | 对比 |
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