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FDB2572备选型号: IRF3315STRLPBF
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- 工厂交货时间
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 额定电流
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 附加功能
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
MOSFET N-CH 150V 29A TO-263ABACTIVE (Last Updated: 6 days ago)8 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB1.31247gSILICON4A Ta 29A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2002e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR9954MOhmTin (Sn)150V鸥翼29AR-PSSO-G2Single增强型MOSFET135WDRAIN11 nsN-ChannelSWITCHING54m Ω @ 9A, 10V4V @ 250μA1770pF @ 25V34nC @ 10V14ns±20V14 ns29A20V4A150V36 mJ4.83mm10.67mm11.33mm无ROHS3 Compliant无铅-----
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK-14 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-SILICON21A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®1997e3-不用于新设计1 (Unlimited)2EAR9982mOhmMatte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier150V鸥翼21AR-PSSO-G2Single增强型MOSFET94WDRAIN9.6 nsN-ChannelSWITCHING82m Ω @ 12A, 10V4V @ 250μA1300pF @ 25V95nC @ 10V32ns±20V38 ns21A20V-150V-4.826mm10.668mm9.65mm无ROHS3 Compliant含铅3雪崩 额定2603084A- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFS4615TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK | 对比 |
| IRF3315STRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK | 对比 |
| FDB390N15A | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET 150V NCHAN PwrTrench | 对比 |
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