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FDB33N25TM备选型号: FDB28N30TM
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 触点镀层
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 附加功能
- 终端形式
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 栅源电压
- 长度
- 高度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 250V 33A D2PAKACTIVE (Last Updated: 19 hours ago)7 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABTin31.31247gSILICON1-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)UniFET™2004e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR9994MOhmFAST SWITCHING, AVALANCHE RATED鸥翼R-PSSO-G2Single增强型MOSFET235WDRAIN35 nsN-ChannelSWITCHING94m Ω @ 16.5A, 10V5V @ 250μA2135pF @ 25V48nC @ 10V230ns±30V120 ns33A3V30V250V3 V10.67mm4.83mm11.33mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅------ Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/RACTIVE (Last Updated: 6 days ago)4 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABTin31.31247gSILICON28A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)UniFET™2007e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99129mOhm-鸥翼R-PSSO-G2Single增强型MOSFET250WDRAIN35 nsN-ChannelSWITCHING129m Ω @ 14A, 10V5V @ 250μA2250pF @ 25V50nC @ 10V135ns±30V69 ns28A5V30V300V-10.67mm4.83mm11.33mm无SVHC-ROHS3 Compliant无铅未说明not_compliant未说明不合格588 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDB28N30TM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 300V 28A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
 | STB30NF20 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK | 对比 |
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