STMicroelectronics STB30NF20

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

2

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

30A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

125W Tc

Turn Off Delay Time

38 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

STripFET™

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

电阻

65mOhm

端子表面处理

哑光锡

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

245

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

STB30N

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

125W

接通延迟时间

35 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

75m Ω @ 15A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1597pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

38nC @ 10V

上升时间

15.7ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

8.8 ns

连续放电电流(ID)

30A

阈值电压

3V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

200V

雪崩能量等级（Eas）

140 mJ

栅源电压

3 V

高度

4.6mm

长度

10.4mm

宽度

9.35mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅