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FDB3672备选型号: AUIRF540ZSTRL
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 终端形式
- JESD-30代码
- 电压
- 元素配置
- 电流
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- ECCN 代码
- 附加功能
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 无铅
MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON7.2A Ta 44A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2004e3yesObsolete1 (Unlimited)2Tin (Sn)鸥翼R-PSSO-G2100VSingle44A增强型MOSFET120WDRAIN11 nsN-ChannelSWITCHING28m Ω @ 44A, 10V4V @ 250μA1710pF @ 25V31nC @ 10V59ns±20V44 ns44A20V0.047Ohm100V无符合RoHS标准-------
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON36A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2003e3-活跃1 (Unlimited)2Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier鸥翼R-PSSO-G2-Single-增强型MOSFET92WDRAIN15 nsN-ChannelSWITCHING26.5m Ω @ 22A, 10V4V @ 250μA1770pF @ 25V63nC @ 10V51ns±20V39 ns36A20V0.0265Ohm100V无ROHS3 Compliant16 WeeksEAR99AVALANCHE RATED, ULTRA-LOW RESISTANCE, HIGH RELIABILITY26030140A无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| HUFA75639S3ST | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET 56a 100V N-Ch UltraFET 0.025 Ohm | 对比 |
| AUIRF540ZS | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK | 对比 |
| AUIRF540ZSTRL | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK | 对比 |
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