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FDB3672备选型号: HUFA75639S3ST
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- 晶体管元件材料
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- JESD-609代码
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 终端形式
- JESD-30代码
- 电压
- 元素配置
- 电流
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 质量
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- HTS代码
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 高度
- 长度
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- 无铅
MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON7.2A Ta 44A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2004e3yesObsolete1 (Unlimited)2Tin (Sn)鸥翼R-PSSO-G2100VSingle44A增强型MOSFET120WDRAIN11 nsN-ChannelSWITCHING28m Ω @ 44A, 10V4V @ 250μA1710pF @ 25V31nC @ 10V59ns±20V44 ns44A20V0.047Ohm100V无符合RoHS标准------------ MOSFET 56a 100V N-Ch UltraFET 0.025 Ohm表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON56A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, UltraFET™2002e3yesObsolete1 (Unlimited)2Tin (Sn)鸥翼R-PSSO-G2-Single-增强型MOSFET200WDRAIN15 nsN-ChannelSWITCHING25m Ω @ 56A, 10V4V @ 250μA2000pF @ 25V130nC @ 10V60ns±20V25 ns56A20V0.025Ohm100V无ROHS3 CompliantLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)16 Weeks1.31247gEAR998541.29.00.95100V56A4.83mm10.67mm9.65mm无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| HUFA75639S3ST | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET 56a 100V N-Ch UltraFET 0.025 Ohm | 对比 |
 | AUIRF540ZS | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK | 对比 |
| AUIRF540ZSTRL | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK | 对比 |
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