您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 FDB44N25TM vs FDB33N25TM

FDB44N25TM备选型号: FDB33N25TM

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • JESD-30代码
  • ON Semiconductor
    FDB44N25TM
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDB44N25TM - MOSFET, N-CH, 250V, 44A, TO-263AB-2
    ACTIVE (Last Updated: 22 hours ago)
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    2
    1.31247g
    SILICON
    10V
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    UniFET™
    2005
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    69mOhm
    Tin (Sn)
    快速切换
    250V
    鸥翼
    44A
    1
    Single
    增强型MOSFET
    307W
    DRAIN
    55 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    69m Ω @ 22A, 10V
    5V @ 250μA
    2870pF @ 25V
    61nC @ 10V
    400ns
    ±30V
    115 ns
    44A
    5V
    30V
    250V
    150°C
    5 V
    4.83mm
    10.67mm
    11.33mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDB33N25TM
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK
    ACTIVE (Last Updated: 19 hours ago)
    7 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    1.31247g
    SILICON
    1
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    UniFET™
    2004
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    94MOhm
    -
    FAST SWITCHING, AVALANCHE RATED
    -
    鸥翼
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    235W
    DRAIN
    35 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    94m Ω @ 16.5A, 10V
    5V @ 250μA
    2135pF @ 25V
    48nC @ 10V
    230ns
    ±30V
    120 ns
    33A
    3V
    30V
    250V
    -
    3 V
    4.83mm
    10.67mm
    11.33mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    R-PSSO-G2
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FDB33N25TM FDB33N25TM ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 250V 33A D2PAK 对比
IRFS38N20DTRLP IRFS38N20DTRLP Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK 对比