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首页 全部分类 FDB44N25TM vs IRFS38N20DTRLP

FDB44N25TM备选型号: IRFS38N20DTRLP

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  • 宽度
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  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 恢复时间
  • ON Semiconductor
    FDB44N25TM
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDB44N25TM - MOSFET, N-CH, 250V, 44A, TO-263AB-2
    ACTIVE (Last Updated: 22 hours ago)
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    2
    1.31247g
    SILICON
    10V
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    UniFET™
    2005
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    69mOhm
    Tin (Sn)
    快速切换
    250V
    鸥翼
    44A
    1
    Single
    增强型MOSFET
    307W
    DRAIN
    55 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    69m Ω @ 22A, 10V
    5V @ 250μA
    2870pF @ 25V
    61nC @ 10V
    400ns
    ±30V
    115 ns
    44A
    5V
    30V
    250V
    150°C
    5 V
    4.83mm
    10.67mm
    11.33mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFS38N20DTRLP
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 200V 43A D2PAK
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    -
    SILICON
    43A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2002
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    54mOhm
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    -
    200V
    鸥翼
    38A
    -
    Single
    增强型MOSFET
    320W
    DRAIN
    16 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    54m Ω @ 26A, 10V
    5V @ 250μA
    2900pF @ 25V
    91nC @ 10V
    95ns
    ±20V
    47 ns
    44A
    5V
    30V
    200V
    -
    5 V
    4.826mm
    10.668mm
    9.65mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SMD/SMT
    260
    30
    R-PSSO-G2
    200V
    460 mJ
    240 ns
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