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FDB6030BL备选型号: FDB8876
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- 湿度敏感性等级(MSL)
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- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 供应商器件包装
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 漏源电压 (Vdss)
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
MOSFET N-CH 30V 40A TO-263AB表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB340A Tc-65°C~175°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2009Obsolete1 (Unlimited)SMD/SMTEAR9930V40ASingle60WN-Channel18m Ω @ 20A, 10V3V @ 250μA1160pF @ 15V17nC @ 5V11ns±20V8 ns40A20V30V30V1.6 V无SVHC符合RoHS标准无铅-------- MOSFET N-CH 30V 71A D2PAK表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB371A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®-Obsolete1 (Unlimited)----Single70WN-Channel8.5mOhm @ 40A, 10V2.5V @ 250μA1700pF @ 15V45nC @ 10V113ns±20V41 ns71A20V30V---符合RoHS标准无铅TO-263AB175°C-55°C30V1.7nF8.5mOhm8.5 mΩ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDB6030L | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK | 对比 |
 | IPB147N03LGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
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