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FDB6030BL备选型号: IPB147N03LGATMA1

FDB6030BL

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 30V 40A TO-263AB

表面贴装
表面贴装
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
3
40A Tc
-65°C~175°C TJ
Tape & Reel (TR)
PowerTrench®
2009
Obsolete
1 (Unlimited)
SMD/SMT
EAR99
30V
40A
Single
60W
N-Channel
18m Ω @ 20A, 10V
3V @ 250μA
1160pF @ 15V
17nC @ 5V
11ns
±20V
8 ns
40A
20V
30V
30V
1.6 V
无SVHC
符合RoHS标准
无铅
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
IPB147N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 20A 3-Pin(2 Tab) TO-263

表面贴装
表面贴装
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-
20A Tc
-55°C~175°C TJ
Tape & Reel (TR)
OptiMOS™
2011
Obsolete
1 (Unlimited)
-
EAR99
-
-
-
31W
N-Channel
14.7m Ω @ 20A, 10V
2.2V @ 250μA
1000pF @ 15V
10nC @ 10V
2.4ns
±20V
2 ns
20A
20V
-
-
-
-
符合RoHS标准
-
SILICON
no
2
AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
SINGLE
鸥翼
4
R-PSSO-G2
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
增强型MOSFET
DRAIN
3.1 ns
SWITCHING
30V
30V
20 mJ
无
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