Infineon Technologies IPB147N03LGATMA1

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Turn Off Delay Time

12 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.2V @ 250μA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

20A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

31W Tc

已出版

2011

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

OptiMOS™

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

附加功能

AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

31W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

3.1 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

14.7m Ω @ 20A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1000pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

10nC @ 10V

上升时间

2.4ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

2 ns

连续放电电流(ID)

20A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

DS 击穿电压-最小值

30V

雪崩能量等级（Eas）

20 mJ

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准