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FDB8444备选型号: STB170NF04
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 终端形式
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 引脚数
- 供应商器件包装
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 基本部件号
- 漏源电压 (Vdss)
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/RACTIVE (Last Updated: 1 day ago)8 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB1.31247gSILICON70A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR995.5MOhmTin (Sn)鸥翼R-PSSO-G2Single增强型MOSFET167WDRAIN12 nsN-ChannelSWITCHING5.5m Ω @ 70A, 10V4V @ 250μA8035pF @ 25V128nC @ 10V78ns±20V15 ns70A20V40V307 mJ无ROHS3 Compliant无铅---------
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAKACTIVE (Last Updated: 8 months ago)12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB--80A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)STripFET™ II--活跃1 (Unlimited)------Single-300W-26 nsN-Channel-5mOhm @ 40A, 10V4V @ 250μA9000pF @ 25V170nC @ 10V57ns±20V66 ns80A20V40V-无ROHS3 Compliant-3D2PAK175°C-55°CSTB170N40V9nF5mOhm5 mΩ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STB170NF04 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK | 对比 |
 | IRF4104SPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK | 对比 |
| IPB80N04S306ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
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