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FDB86569-F085备选型号: IPB050N06NGATMA1
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- 配置
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- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
MOSFET 60V SG N-channel PowerTrench MOSFETACTIVE (Last Updated: 1 day ago)5 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB1.31247g80A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®yes活跃1 (Unlimited)not_compliantN-Channel5.6m Ω @ 80A, 10V4V @ 250μA2520pF @ 30V52nC @ 10V60V±20V80AROHS3 Compliant-----------------------
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2 Tab) TO-263--表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB-100A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™yesObsolete1 (Unlimited)-N-Channel4.7m Ω @ 100A, 10V4V @ 270μA6100pF @ 30V167nC @ 10V60V±20V100A符合RoHS标准SILICON2007e32EAR99哑光锡雪崩 额定SINGLE鸥翼260404R-PSSO-G2不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET300WDRAINSWITCHING20V0.0047Ohm400A60V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STB130N6F7 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 60V 80A F7 D2PAK | 对比 |
| IPB050N06NGATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2 Tab) TO-263 | 对比 |
| IPB90N06S404ATMA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 60V 90A Automotive 3-Pin(2 Tab) TO-263 T/R | 对比 |
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