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FDB8832-F085备选型号: IRF2903ZSTRLP
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- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
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- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
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- 下降时间（典型值）
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- 辐射硬化
- RoHS状态
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- ECCN 代码
- 电阻
- 附加功能
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 无铅
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/RLAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB31.31247gSILICON34A Ta-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®e3yesObsolete1 (Unlimited)2Tin (Sn)鸥翼26030R-PSSO-G2Single增强型MOSFET300WDRAIN24 nsN-ChannelSWITCHING1.9m Ω @ 80A, 10V3V @ 250μA11400pF @ 15V265nC @ 10V73ns±20V38 ns80A20V0.0022Ohm30V1246 mJ无符合RoHS标准-------
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3-SILICON75A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®e3-Obsolete1 (Unlimited)2Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier鸥翼26030R-PSSO-G2Single增强型MOSFET290WDRAIN24 nsN-ChannelSWITCHING2.4m Ω @ 75A, 10V4V @ 150μA6320pF @ 25V240nC @ 10V100ns±20V37 ns75A20V-30V820 mJ无ROHS3 Compliant16 Weeks2005EAR992.4MOhmAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE1020A无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDB8896 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 93A TO-263AB | 对比 |
| IRF2903ZSTRLP | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK | 对比 |
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