FDB8870-F085备选型号: IRL7833SPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 已出版
- ECCN 代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 通道数量
- 阈值电压
- 恢复时间
- 最大结点温度(Tj)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 无铅
- MOSFET 30V 160A 3.9Mohm N-CH POWERTRENCHLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB31.31247gSILICON23A Ta 160A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®e3yesObsolete1 (Unlimited)2Tin (Sn)鸥翼26030R-PSSO-G2Single增强型MOSFET160WDRAIN10 nsN-ChannelSWITCHING3.9m Ω @ 35A, 10V2.5V @ 250μA5200pF @ 15V132nC @ 10V98ns±20V47 ns23A20V160A0.0044Ohm30V无符合RoHS标准---------------
- MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3--150A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®--Discontinued1 (Unlimited)------Single-140W-18 nsN-Channel-3.8m Ω @ 38A, 10V2.3V @ 250μA4170pF @ 15V47nC @ 4.5V50ns±20V6.9 ns150A20V--30V无ROHS3 Compliant2004EAR993.8MOhm30V150A11.4V63 ns175°C2.3 V5.084mm10.668mm9.65mm无SVHC无铅
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDB8870 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
![]() | IRL7833SPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK | 对比 |
![]() | IRL3713STRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 260A D2PAK | 对比 |




哦! 它是空的。