Infineon Technologies IRL7833SPBF
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IRL7833SPBF
1211-IRL7833SPBF
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK
1最小包装量--
IRL7833SPBF详情
Infineon Technologies IRL7833SPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
150A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
140W Tc
Turn Off Delay Time
21 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2004
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
电阻
3.8MOhm
电压 - 额定直流
30V
额定电流
150A
通道数量
1
元素配置
Single
功率耗散
140W
接通延迟时间
18 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.8m Ω @ 38A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4170pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
47nC @ 4.5V
上升时间
50ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
6.9 ns
连续放电电流(ID)
150A
阈值电压
1.4V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
恢复时间
63 ns
最大结点温度(Tj)
175°C
栅源电压
2.3 V
高度
5.084mm
长度
10.668mm
宽度
9.65mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IRL7833SPBF拓展信息
Infineon Technologies
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