登录 / 注册

产品

输入型号/关键词

FDB8880备选型号: IPB080N03LGATMA1

FDB8880

ON Semiconductor

MOSFET NCH PWR TRNCH MOSFET 30V 54A 11.6 OHMS

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
表面贴装
表面贴装
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
3
1.31247g
SILICON
11A Ta 54A Tc
-55°C~175°C TJ
Tape & Reel (TR)
PowerTrench®
2005
e3
yes
Obsolete
1 (Unlimited)
2
EAR99
Tin (Sn)
30V
鸥翼
54A
R-PSSO-G2
Single
增强型MOSFET
55W
DRAIN
8 ns
N-Channel
SWITCHING
11.6m Ω @ 40A, 10V
2.5V @ 250μA
1240pF @ 15V
29nC @ 10V
107ns
±20V
51 ns
54A
2.5V
20V
30V
2.5 V
4.83mm
10.67mm
11.33mm
无SVHC
无
符合RoHS标准
无铅
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
IPB080N03LGATMA1

Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2 Tab) TO-263

-
表面贴装
表面贴装
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
3
-
SILICON
50A Tc
-55°C~175°C TJ
Tape & Reel (TR)
OptiMOS™
2008
e3
no
Obsolete
1 (Unlimited)
2
EAR99
Tin (Sn)
-
鸥翼
-
R-PSSO-G2
-
增强型MOSFET
47W
DRAIN
4.6 ns
N-Channel
SWITCHING
8m Ω @ 30A, 10V
2.2V @ 250μA
1900pF @ 15V
18nC @ 10V
3.6ns
±20V
2.8 ns
50A
-
20V
-
-
-
-
-
-
-
ROHS3 Compliant
含铅
AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
SINGLE
未说明
未说明
4
不合格
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
无卤素
30V
48A
50 mJ
添加型号

分立半导体产品相关产品

图片	产品型号	品牌	分类	封装	描述	对比
	FDB8447L	ON Semiconductor	晶体管 - FET，MOSFET - 单个	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N-CH 40V 15A D2PAK	对比
	IPB080N03LGATMA1	Infineon Technologies	晶体管 - FET，MOSFET - 单个	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2 Tab) TO-263	对比
	IPB042N03LGATMA1	Infineon Technologies	晶体管 - FET，MOSFET - 单个	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2 Tab) TO-263	对比