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首页 全部分类 FDBL0110N60 vs IRF7749L2TRPBF

FDBL0110N60备选型号: IRF7749L2TRPBF

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  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 制造商包装标识符
  • 已出版
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
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  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    FDBL0110N60
    ON Semiconductor
    TAPE REEL / TO- , MV7, 60V
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerSFN
    8
    850.0521mg
    SILICON
    300A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin (Sn)
    FLAT
    260
    not_compliant
    未说明
    R-PSSO-F2
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    1.1m Ω @ 80A, 10V
    4V @ 250μA
    13650pF @ 30V
    220nC @ 10V
    60V
    ±20V
    300A
    MO-299A
    0.0011Ohm
    60V
    1167 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7749L2TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V DIRECTFET L8
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    DirectFET™ Isometric L8
    8
    -
    SILICON
    33A Ta 375A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    e1
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    9
    EAR99
    锡银铜
    -
    260
    -
    30
    R-XBCC-N9
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    1.5m Ω @ 120A, 10V
    4V @ 250μA
    12320pF @ 25V
    300nC @ 10V
    -
    ±20V
    33A
    -
    -
    -
    260 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    IRF7749L2TRPBF
    2009
    BOTTOM
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    3.8W
    29 ns
    43ns
    39 ns
    4V
    60V
    375A
    60V
    175°C
    2.9 V
    740μm
    9.144mm
    7.112mm
    无SVHC
    无
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