您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 FDC3601N vs ZXMP10A17E6QTA

FDC3601N备选型号: ZXMP10A17E6QTA

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 已出版
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 输入电容
  • 最大rds
  • ON Semiconductor
    FDC3601N
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - FDC3601N - Dual MOSFET, Dual N Channel, 1 A, 100 V, 0.5 ohm, 10 V, 2.6 V
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    5 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    36mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    500MOhm
    Tin (Sn)
    100V
    960mW
    鸥翼
    1A
    Dual
    增强型MOSFET
    960mW
    8 ns
    700mW
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    500m Ω @ 1A, 10V
    4V @ 250μA
    153pF @ 50V
    5nC @ 10V
    4ns
    4 ns
    1A
    2.6V
    20V
    1A
    100V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    1mm
    3mm
    1.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    ZXMP10A17E6QTA
    Diodes Incorporated
    MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6
    -
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6
    -
    -
    -
    1.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    P-Channel
    -
    350mOhm @ 1.4A, 10V
    4V @ 250μA
    424pF @ 50V
    10.7nC @ 10V
    -
    -
    1.3A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    SOT-26
    2015
    150°C
    -55°C
    100V
    ±20V
    424pF
    350 mΩ
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
ZXMN10A08E6TA ZXMN10A08E6TA Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 SOT-23-6 Trans MOSFET N-CH 100V 3.5A Automotive 6-Pin SOT-26 T/R 对比
ZXMN10A08E6TC ZXMN10A08E6TC Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 SOT-23-6 MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23-6 对比
ZXMP10A17E6QTA ZXMP10A17E6QTA Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 SOT-23-6 MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6 对比