ON Semiconductor FDC3601N
- 收藏
- 对比
FDC3601N
1807-FDC3601N
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
大陆
立即发货

ON SEMICONDUCTOR - FDC3601N - Dual MOSFET, Dual N Channel, 1 A, 100 V, 0.5 ohm, 10 V, 2.6 V
--最小包装量--
FDC3601N详情
ON Semiconductor FDC3601N重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
5 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
引脚数
6
质量
36mg
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
Turn Off Delay Time
11 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PowerTrench®
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
500MOhm
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
100V
最大功率耗散
960mW
终端形式
鸥翼
额定电流
1A
元素配置
Dual
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
960mW
接通延迟时间
8 ns
功率 - 最大
700mW
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
500m Ω @ 1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
153pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
5nC @ 10V
上升时间
4ns
下降时间(典型值)
4 ns
连续放电电流(ID)
1A
阈值电压
2.6V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
1A
漏源击穿电压
100V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Standard
高度
1mm
长度
3mm
宽度
1.7mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
FDC3601N拓展信息









哦! 它是空的。