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首页 全部分类 FDC608PZ vs IRLMS2002TRPBF

FDC608PZ备选型号: IRLMS2002TRPBF

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  • 终端形式
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  • 场效应管类型
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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 附加功能
  • JESD-30代码
  • 晶体管应用
  • ON Semiconductor
    FDC608PZ
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 5.8A SSOT-6
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    13 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    36mg
    SILICON
    5.8A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    SMD/SMT
    EAR99
    30MOhm
    -20V
    DUAL
    鸥翼
    -5.8A
    Single
    增强型MOSFET
    1.6W
    13 ns
    P-Channel
    30m Ω @ 5.8A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    1330pF @ 10V
    23nC @ 4.5V
    8ns
    20V
    ±12V
    8 ns
    5.8A
    -1V
    12V
    -20V
    20A
    -20V
    -1 V
    1mm
    3mm
    1.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLMS2002TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 20V 6.5A 6-TSOP
    -
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6
    3
    -
    SILICON
    6.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2005
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    -
    EAR99
    300mOhm
    20V
    DUAL
    鸥翼
    6.5A
    Single
    增强型MOSFET
    2W
    8.5 ns
    N-Channel
    30m Ω @ 6.5A, 4.5V
    1.2V @ 250μA
    1310pF @ 15V
    22nC @ 5V
    11ns
    -
    ±12V
    16 ns
    6.5A
    1.2V
    12V
    20V
    20A
    -
    1.2 V
    1.143mm
    2.9972mm
    1.75mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    R-PDSO-G6
    SWITCHING
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