FDC6305N备选型号: FDC6420C
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
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- 安装类型
- 包装/外壳
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- 晶体管元件材料
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- JESD-609代码
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- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 额定电流
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 场效应管技术
- 最大结点温度(Tj)
- 场效应管特性
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 终端
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 极性/通道类型
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 栅源电压
- ON SEMICONDUCTOR - FDC6305N - DUAL N CHANNEL MOSFET, 20V, SUPER SOT-6ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)10 WeeksTin表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6636mgSILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®1999e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR9980mOhm20V960mW鸥翼2.7A2Dual增强型MOSFET900mW5 ns700mW2 N-Channel (Dual)SWITCHING80m Ω @ 2.7A, 4.5V1.5V @ 250μA310pF @ 10V5nC @ 4.5V8.5ns8.5 ns2.7A900mV8V20V20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR150°CStandard1.1mm3mm1.7mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-------
- ON SEMICONDUCTOR - FDC6420C - Dual MOSFET, N and P Channel, 3 A, 20 V, 0.05 ohm, 4.5 V, 900 mVACTIVE (Last Updated: 2 days ago)10 Weeks-表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6636mgSILICON3A 2.2A-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2017e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR9970MOhm-700mW鸥翼3A2Dual增强型MOSFET960mW--N and P-ChannelSWITCHING70m Ω @ 3A, 4.5V1.5V @ 250μA324pF @ 10V4.6nC @ 4.5V12ns12 ns3A900mV12V20V20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR150°C逻辑电平门900μm--无SVHC无ROHS3 Compliant无铅SMD/SMTTIN (SN)26030N-CHANNEL AND P-CHANNEL3A900 mV
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDC6401N | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | Trans MOSFET N-CH 20V 3A 6-Pin SuperSOT T/R | 对比 | |
| FDC6420C | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | ON SEMICONDUCTOR - FDC6420C - Dual MOSFET, N and P Channel, 3 A, 20 V, 0.05 ohm, 4.5 V, 900 mV | 对比 |


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