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首页 全部分类 FDC6506P vs IRLMS5703TRPBF

FDC6506P备选型号: IRLMS5703TRPBF

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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 场效应管技术
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  • 场效应管特性
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  • 长度
  • 宽度
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 终端
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 栅源电压
  • ON Semiconductor
    FDC6506P
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET P-CH 30V 1.8A 6-Pin SuperSOT T/R
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    10 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    36mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    1999
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    170MOhm
    逻辑电平兼容
    -30V
    960mW
    鸥翼
    -1.8A
    2
    Dual
    增强型MOSFET
    960mW
    7 ns
    700mW
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    170m Ω @ 1.8A, 10V
    3V @ 250μA
    190pF @ 15V
    3.5nC @ 10V
    8ns
    8 ns
    1.8A
    -1.8V
    20V
    -30V
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    150°C
    逻辑电平门
    1.1mm
    3mm
    1.7mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLMS5703TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 30V 2.4A 6-TSOP
    -
    7 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6
    6
    -
    SILICON
    2.4A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    1997
    e3
    -
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    180mOhm
    超低电阻
    -30V
    -
    鸥翼
    -2.3A
    -
    Single
    增强型MOSFET
    1.7W
    10 ns
    -
    P-Channel
    SWITCHING
    180m Ω @ 1.6A, 10V
    1V @ 250μA
    170pF @ 25V
    11nC @ 10V
    12ns
    8.4 ns
    -2.3A
    -1V
    20V
    -30V
    -30V
    -
    -
    -
    1.4478mm
    2.9972mm
    1.75mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SMD/SMT
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    30V
    ±20V
    2.4A
    -1 V
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