ON Semiconductor CPH6355-TL-W

工厂交货时间

4 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

触点镀层

Tin

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

1.6W Ta

Turn Off Delay Time

19.4 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.6V @ 1mA

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4V 10V

Number of Elements

1

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3A Ta

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

150°C TJ

已出版

2012

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PDSO-G6

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

接通延迟时间

4.6 ns

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

169m Ω @ 1.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

172pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

3.9nC @ 10V

上升时间

6.6ns

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

11.4 ns

连续放电电流(ID)

3A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3A

漏极-源极导通最大电阻

0.169Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

12A

DS 击穿电压-最小值

30V

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅