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FDC855N备选型号: FDC8886
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- 安装类型
- 包装/外壳
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- 晶体管元件材料
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 栅源电压
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- HTS代码
- JEDEC-95代码
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOTACTIVE (Last Updated: 2 days ago)13 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6636mgSILICON6.1A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2007e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR9927MOhmTin (Sn)DUAL鸥翼Single增强型MOSFET1.6W6 nsN-ChannelSWITCHING27m Ω @ 6.1A, 10V3V @ 250μA655pF @ 15V13nC @ 10V2ns±20V2 ns6.1A2V20V30V2 V95 pF1mm3mm1.7mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅----- MOSFET 30V N-Channel Power Trench MOSFETACTIVE (Last Updated: 2 days ago)13 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6636mgSILICON6.5A Ta 8A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2011e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR99-Tin (Sn)DUAL鸥翼Single增强型MOSFET1.6W5 nsN-ChannelSWITCHING23m Ω @ 6.5A, 10V3V @ 250μA465pF @ 15V7.4nC @ 10V1ns±20V1 ns6.5A-20V30V-25 pF1mm3mm1.7mm-无ROHS3 Compliant-8541.29.00.95MO-193AA8A0.023Ohm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDC653N | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | ON SEMICONDUCTOR - FDC653N - Power MOSFET, N Channel, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Surface Mount | 对比 |
| FDC8886 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET 30V N-Channel Power Trench MOSFET | 对比 |
 | DMN3026LVT-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26 | 对比 |
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